薄膜沉积是将特定材料原子/分子沉积在晶圆表面形成功能膜层的关键工艺，常见的包括PVD（物理气相沉积）、CVD（化学气相沉积）和ALD（原子层沉积）， 用于形成介电层、导电层、阻挡层等。

以CVD（化学气相沉积）工艺原理为例：晶圆进入反应腔后，设备需在高真空环境下精确引入前驱体气体，气体在腔体内输运、扩散与吸附，并在基片表面发生 受控化学反应形成连续薄膜，同时副产物需被及时解吸并高效排出。

中国薄膜沉积设备市场在全球中占比持续提升，已成为推动全球薄膜沉积设备需 求增长的核心区域之一。中国薄膜沉积设备市场规模由 2017 年的 23 亿美元提升至 2025E 的 146 亿美元，2017–2025E 期间 CAGR 约 26.0%，2023 年以来，在国内晶圆厂扩产节奏加快、设备国产化率持续提升的 带动下，中国市场规模快速放大，2023–2025E期间年均增量持续扩大。

不同沉积工艺在材料体系、结构复杂度与性能要求上的差异，推动设备价值量与技术门槛在沉积环节内部分化。从半导体设备体系投资结构看，薄膜沉积设备与光刻、刻蚀并列构成晶圆制造的三大核心装备，其中薄膜沉积设备长期稳定占据晶圆制造设备约 22% 价值量。沉积的各类功能薄膜直接决定器件结构完整性与 电学性能，是前道工艺中需求量最大、应用范围最广的关键环节之一。

从工艺结构看，PECVD 以约 33% 的占比居于首位，主要应用于介质层与钝化层等大规模沉积场景；ALD 占比约 11%，主要面向先进制程与高深宽比结构， 对原子级厚度控制和界面质量要求极高，技术壁垒最为突出；PVD、管式 CVD 与 非管式 LPCVD 合计约占三成，主用于金属互连及传统功能薄膜沉积；SACVD、 HDPCVD、Flowable CVD、电镀 ECD 与 M-CVD 等细分工艺合计约占一成， 主要覆盖特殊结构填充及新材料应用需求。

从中国薄膜沉积设备厂商布局看，各企业在工艺路线与应用场景上分工明确。中 微公司以 MOCVD 为核心，主要面向 LED 外延等高温沉积领域；北方华创覆盖 PVD、LPCVD、APCVD 及 Thermal ALD 等多类工艺，产品矩阵完整，是国内前道沉积设备的平台型厂商代表。相比之下，拓荆科技技术路径更为聚焦， 以 PECVD 切入集成电路前道沉积市场，已在介质层、抗反射层及刻蚀阻挡层等关键工艺实现稳定量产，竞争优势突出。同时，ALD（含 PE-ALD）设备已完成验证并进入量产，覆盖 SADP、STI 等先进工艺，前瞻布局有望随制程复杂化持续受益。