芯片的封装和测试,简称“封测”。这一部分,在行业里也被称为后道(Back End)工序,一般都是由OSAT封测厂(Outsourced Semiconductor Assembly and Test,外包半导体封装与测试)负责。
封装工艺伴随芯片的出现而出现,迄今为止已有70多年的历史。封装主要是指把晶圆上的裸芯片(晶粒)变成最终成品芯片的过程。封装的主要目的有两个:一个是对脆弱的晶粒进行保护,防止物理磕碰损伤,也防止空气中的杂质腐蚀晶粒的电路。二是让芯片更适应使用场景的要求。芯片有很多的应用场景。不同的场景,对芯片的外型有不同的要求。进行合适的封装,能够让芯片更好地工作。我们平时会看到很多种外型的芯片,其实就是不同的封装类型。
一、传统封装
最早期的晶体管,采用的是TO(晶体管封装)。后来,发展出了DIP(双列直插封装)。
我们最熟悉的三极管造型,就是TO封装。
再后来,由PHILIP公司开发出了SOP(小外型封装),并逐渐派生出SOJ(J型引脚小外形封装)、TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)及SOT(小外形晶体管)、SOIC(小外形集成电路)等。
第一、第二阶段(1960-1990年)的封装,以通孔插装类封装(THP)以及表面贴装类封装(SMP)为主,属于传统封装。传统封装主要依靠引线将晶粒与外界建立电气连接。
这些传统封装,直到现在仍比较常见。尤其是一些老的经典型号芯片,对性能和体积要求不高,仍会采用这种低成本的封装方式。
第三阶段(1990-2000年),IT技术革命加速普及,芯片功能越来越复杂,需要更多的针脚。电子产品小型化,又要求芯片的体积继续缩小。这时,(球型矩阵、球栅阵列)封装开始出现,并成为主流。
BGA仍属于传统封装。它的接脚位于芯片下方,数量庞大,非常适合需要大量接点的芯片。而且,相比DIP,BGA的体积更为紧凑,非常适合需要小型化设备。和BGA有些类似的,还有LGA(平面网格阵列封装)和PGA(插针网格阵列封装)。我们最熟悉的CPU,就是这三种封装。
二、先进封装
20世纪末,芯片级封装(CSP)、晶圆级封装(WLP)、倒装封装(Flip Chip)开始慢慢崛起。传统封装开始向先进封装演变。相比于BGA这样的封装,芯片级封装(CSP)强调的是尺寸的更小型化(封装面积不超过芯片面积的1.2倍)。
晶圆级封装是芯片级封装的一种,封装的尺寸接近裸芯片大小。1960年代的时候,IBM就发明了这个技术。但是直到1990年代,这个技术才开始普及。
采用倒装封装,就是不再用金属线进行连接,而是把晶圆直接反过来,通过晶圆上的凸点(Bump),与基板进行电气连接。和传统金属线方式相比,倒装封装的I/O(输入/输出)通道数更多,互连长度缩短,电性能更好。另外,在散热和封装尺寸方面,倒装封装也有优势。
先进封装的出现,迎合了当时时代发展的需求。它采用先进的设计和工艺,对芯片进行封装级重构,带来了更多的引脚数量、更小的体积、更高的系统集成度,能够大幅提升系统的性能。
进入21世纪后,随着移动通信和互联网革命的进一步爆发,促进芯片封装进一步朝着高性能、小型化、低成本、高可靠性等方向发展。先进封装技术开始进入高速发展的阶段。这一时期,芯片内部布局开始从二维向三维空间发展(将多个晶粒塞在一起),陆续出现了2.5D/3D封装、硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、扇入(Fan-In)/扇出(Fan-Out)型晶圆级封装、系统级封装(SiP)等先进技术。
2.5D和3D封装,都是对芯片进行堆叠封装。2.5D封装技术,可以将两种或更多类型的芯片放入单个封装,同时让信号横向传送,这样可以提升封装的尺寸和性能。
最广泛使用的2.5D封装方法,是通过硅中介层(Interposer)将内存和逻辑芯片(GPU或CPU等)放入单个封装。2.5D封装需要用到硅通孔(TSV)、重布线层(RDL)、微型凸块等核心技术。3D封装是在同一个封装体内,于垂直方向叠放两个以上芯片的封装技术。
2.5D和3D封装的主要区别在于:2.5D封装,是在Interposer上进行布线和打孔。而3D封装,是直接在芯片上打孔和布线,连接上下层芯片堆叠。相对来说,3D封装的要求更高,难度更大。2.5D和3D封装起源于FLASH存储器(NOR/)及SDRAM的需求。大名鼎鼎的HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储器),就是2.5D和3D封装的典型应用。将HBM和GPU进行整合,能够进一步发挥GPU的性能。
HBM,对于GPU很重要,对AI也很重要。HBM通过硅通孔等先进封装工艺,垂直堆叠多个DRAM,并在Interposer上与GPU封装在一起。HBM内部的DRAM堆叠,属于3D封装。而HBM与GPU合封于Interposer上,属于2.5D封装。现在业界很多厂商推出的新技术,例如CoWoS、HBM、Co-EMIB、HMC、Wide-IO、Foveros、SoIC、X-Cube等,都是由2.5D和3D封装演变而来的。
WLP(晶圆级封装)可分为扇入型晶圆级封装(Fan-In WLP)和扇出型晶圆级封装(Fan-Out WLP)两大类。扇入型直接在晶圆上进行封装,封装完成后进行切割,布线均在芯片尺寸内完成,封装大小和芯片尺寸相同。扇出型则基于晶圆重构技术,将切割后的各芯片重新布置到人工载板上。然后,进行晶圆级封装,最后再切割。布线可在芯片内和芯片外,得到的封装面积一般大于芯片面积,但可提供的IO数量增加。目前量产最多的,是扇出型产品。