在半导体制造的复杂流程中，晶圆历经前道工序完成芯片制备后，划片工艺成为将芯片从晶圆上分离的关键环节，为后续封装奠定基础。由于不同厚度的晶圆具有各异的物理特性，因此需匹配不同的切割工艺，以确保切割效果与芯片质量。

1、厚度 100um 以上的晶圆 - 刀片切割

对于厚度超过 100um 的晶圆，刀片切割（Blade dicing or blade sawing）是常用的方法。这种方法在长期的实践中展现出高效切割大量晶圆的能力，能够满足大规模生产的需求。在刀片切割过程中，诸多细节关乎切割质量。为保护晶圆免受外部损伤，需事先在晶圆上贴敷胶膜。与 “背面减薄” 过程中胶膜贴在晶圆正面不同，刀片切割时胶膜要贴在晶圆背面，而在后续的共晶贴片（Die Bonding）过程中，这层贴在背面的胶膜会自动脱落。切割时，因刀片与晶圆间摩擦剧烈，需从各个方向连续喷洒 DI 水（去离子水），以降低摩擦产生的热量并冲走切割碎屑。

同时，为实现更好的切片效果，叶轮上会附有金刚石颗粒。值得注意的是，切口（即刀片厚度与凹槽宽度）必须均匀，且不得超过划片槽的宽度，以保证切割精度。然而，刀片切割并非毫无挑战。若切片的进给速度大幅提高，小芯片边缘剥落的风险将显著增加。因此，通常需将叶轮的旋转次数控制在每分钟 30000 次左右，以平衡切割效率与切割质量。此外，在切割较窄迹道（street）宽度的晶圆时，对设备精度要求极高。需要使用具有高分度轴精度、高光学放大和先进对准运算的设备，以确保每次切割都能精确落在迹道中心几微米范围内。而且，选择刀片厚度也需谨慎权衡。虽窄迹道切割应尽量选用最薄的刀片，但很薄的刀片（如 20µm）极为脆弱，容易过早破裂和磨损，导致其寿命期望和工艺稳定性较厚刀片差。对于 50 - 76µm 迹道的刀片，推荐厚度为 20 - 30µm。

2、厚度不到 100um 的晶圆 - 激光切割

当晶圆厚度不足 100um 时，激光切割成为更为适宜的选择。激光切割利用高能量密度的激光束瞬间熔化或气化被切割材料，从而实现晶圆的分离。这种方法的显著优势在于能够有效减少剥落和裂纹问题，尤其适用于对芯片边缘质量要求较高的场景。然而，激光切割在处理 100um 以上厚度的晶圆时，生产效率会大大降低，这限制了其在厚晶圆切割中的应用。

3、厚度不到 30um 的晶圆 - 等离子切割

对于厚度小于 30um 的超薄晶圆，等离子切割展现出独特的优势。等离子切割通过高温、高速的等离子体射流将材料熔化并吹离，实现切割目的。该工艺速度快，且不会对晶圆表面造成损伤，能够有效提高良率。但等离子切割工艺过程更为复杂，对设备和操作要求较高，需要专业的技术人员和精密的设备来确保切割的准确性和稳定性。