传统 Flash采用平面设计，而3D NAND是以则由原本平铺的存储单元所堆叠而成，由传统单层存储提升至高达上百层的堆叠，让其存储容量相较于传统2D NAND Flash有了大幅提升。QLC（Quad-Level Cell，四层单元）擦写仅100-1000次，但3D NAND的出现，使得寿命提升至1500次以上。2024年，长江存储QLC 擦写寿命突破4000次。现有的QLC层数也从24层（由三星于2013年正式推出）发展到321层（海力士于2025年开始量产）。而300+层3D堆叠技术预计2025年量产，QLC寿命有望突破5000次。

其次，主控芯片的性能也有大幅提升。联芸MAP1602芯片+4通道设计，可以使QLC顺序读写提高到12.4GB/s，缓解了速度短板，同时国产主控技术突破推动QLC成本进一步下降，加速消费级普及。

此外，AI训练所需的海量非结构化数据存储需求也推动了HBM扩产。微软Azure部分冷数据存储方案采用QLC SSD，结合绿色数据中心战略降低单位存储能耗。戴尔推出全新的PowerStore Prime, 实现了多重性能提升，能够以更低的成本提供企业级性能，在全存储领域业界领先。

更为先进的PLC（Penta-Level Cell，五层单元）正在研发，因此QLC也将是未来五年的性价比天花板。