Flash是一种非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，即使断电也能保留数据。由于具备高密度、制作成本比较低等优势，目前的eMMC、、硬盘大量采用了NAND Flash颗粒。
NAND Flash闪存技术类型有 SLC(2bit)、MLC(4bit)、TLC(8bit)、QLC(16bit)。
一、SLC（Single-Level Cell | 单层单元）
1. 原理
每个单元仅存储1位数据，电压状态只有 0和1（非黑即白）。
2. 特性：
• 读写延迟＜25μs，企业级SSD首选。
• 擦写寿命 10万次+（每天写100GB，能用27年！）。
• 单价约 $0.37/GB，是QLC的10倍！
3. 适用场景
航天设备、医疗CT机、高频交易服务器等对可靠性要求极高的领域。
二、MLC（Multi-Level Cell | 多层单元）
1. 原理
每个单元存2位数据，电压分 4种状态（类似00/01/10/11）。
2. 特性：
• 擦写寿命3000-10000次，价格是SLC的1/3。
• 2023年市占率仅2%，逐渐被TLC替代。
3. 适用场景
早期高端游戏盘、企业级数据库（现多被3D TLC取代）。 现多见于特殊工业设备（存量市场）。
三、TLC（Triple-Level Cell | 三层单元）
1. 原理：
每个单元存储3位数据，电压分 8种状态，靠算法纠错来保障准确性。
2. 特性：
• 单价 $0.08/GB，擦写寿命 500-3000次（普通用户够用5年+）。
• 配合SLC缓存，读写速度冲上7000MB/s！
3. 适用场景：
主流笔记本、PS5游戏盘、4K视频剪辑存储等消费级设备及中端企业存储。
四、QLC（Quad-Level Cell | 四层单元）
1. 原理：
每个单元存储4位数据，电压分 16种状态（精细如头发丝！），技术复杂度最高。
2. 特性：
• 比TLC多33%容量，8TB SSD价格低至2000元内！
• 擦写仅 100-1000次，但3D堆叠技术救场（可提升寿命至1500次+）。
3. 适用场景：
数据中心冷数据、家庭影音库、AI训练集存储等大容量冷数据存储。
从SLC到QLC，存储技术始终在容量、速度、寿命、成本之间寻找平衡。普通用户无需追求极致参数，按需选择才是最优解。
