（Flash）主要有和NOR两种，Flash存储技术是在它之前的EEPROM基础上发展起来的存储器，它跟EEPROM一样，也是使用电学方法来存储电荷的器件，只是EEPROM是使用两个晶体管来构成，而flash存储阵列中的存储单元是由一个晶体管组成的。所以flash存储器在器件集成度、数据容量和功耗低等性能上都比之前的器件有明显的提高。
NAND和NOR各有所长，应用场景有所分化。NORFlash由英特尔公司于1988年最初推出。为了提高容量/价格比，东芝公司于1989年推出NAND Flash。两种Flash技术各有优、缺点以及各自适用的场合。NOR结构的特点是芯片内执行(XIP，Execute InPlace)，应用程序可以直接在Flash内运行，不必再把代码读到系统RAM中，节省时间。而NAND结构的特点能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且增加写入和擦除的速度。
从功能来看，NAND Flash、NOR Flash 和 EEPROM 虽同属于非易失性存储器，但三者各有特点，功能和容量差异明显，各自的应用场景 相对明确，相互之间不存在明显的替代关系。NAND Flash 具有写入和擦除速度快、存储密度高等特点，适宜大容量数据存储。NOR Flash 具有读取速度快和芯片内执行(XIP)等特点，多用于中等容量代码存储。NOR Flash芯片内执行这一特点，使得CPU可以直接对 NOR Flash 进行读取和存储，但NAND Flash则需要RAM配合才能完成程序代码的运行。NOR Flash读取速度快这一特点使得它在运行程序时的优势更加明显，尤其对于开机响应时间、可靠性等具有较高要求的电子设备，NOR Flash已经成为首选。EEPROM具有擦写次数多、数据保存可靠等特点，常应用在低容量存储领域。
在芯片成本方面，随着容量的增加，单颗芯片的成本变化在三种非易失性存储器芯片之间呈现不同的变化趋势。通常情况下，当单颗容量达到 1Gb 以上，NAND Flash 单颗芯片的成本显著低于 NOR Flash;当单颗容量低于 1Mb 以下，EEPROM 单颗芯片的成本显著低于 NOR Flash;而当单颗容量介于1Mb~1Gb之间时，NOR Flash单颗芯片的成本则展现出明显的竞争力。
