刻蚀有干法与湿法两种方式，前者不使用溶液，后者使用特定的溶液，两种刻蚀工艺因此而得名。

一般情况下，刻蚀之前需要通过光刻制备掩蔽层(可以直接由光刻胶充当)以保护不需刻蚀的区域。

(1)干法刻蚀

常用的干法刻蚀一般有电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)刻蚀、离子束刻蚀(ion beam etching,IBE)和反应离子刻蚀(reactive ion etching,RlE)等三种类型。

在ICP刻蚀中，辉光放电产生的等离子体里存在大量的化学活性很强的游离基(游离态的原子、分子或原子团等)，它们会与目标材料发生化学反应生成挥发性产物，这样便达到了刻蚀目的；IBE是利用高能离子(来自于惰性气体的电离)直接轰击目标材料表面实现刻蚀的，这是一个物理过程；RIE可被视作前面两者的结合，将IBE所用的惰性气体改为ICP刻蚀所用的气体，就变成了RIE。

对于干法刻蚀而言，纵向刻蚀速率远远大于横向刻蚀速率，即纵横比高，可以精确地复制掩蔽层上的图形。但干法刻蚀对掩蔽层也有一定的刻蚀效果，选择性(对目标材料与掩蔽层的刻蚀速率之比)较差，尤其是IBE，可能会对材料表面无选择地全部刻蚀。

(2)湿法腐蚀

通过将目标材料放于可与之发生化学反应的溶液(即腐蚀液)里实现刻蚀效果的方式叫作湿法腐蚀。

这种刻蚀方式操作简单、成本低廉，选择性好，但纵横比很低，掩蔽层边缘下面受保护的材料会遭受腐蚀，不如干法刻蚀精准。

为减少低纵横比带来的负面影响，需要选择合适的腐蚀速率。影响腐蚀速率的因素有腐蚀液浓度、腐蚀时间和腐蚀液温度等。